●隨著(zhù)平面型閃存存儲器的發(fā)展，半導體的生產(chǎn)工藝獲得了巨大的進(jìn)步。但是近年來(lái)，平面型閃存存儲器遭遇了如何突破存儲電子密度極限等挑戰。在此背景下，為解決平面閃存存儲器遇到的困難以及追求更低的單位存儲單元的生產(chǎn)成本，各種不同的三維閃存存儲器結構應運而生。其中，3D NAND因其小體積、大容量，并且通過(guò)增加立體硅層的辦法，既可以提高單位面積存儲密度，又能改善存儲單元性能等優(yōu)點(diǎn)，己經(jīng)成為新興存儲器設計和生產(chǎn)的主流工藝。為此，不少企業(yè)就該工藝提交專(zhuān)利申請，開(kāi)展專(zhuān)利布局。

　　●在2019年專(zhuān)利復審無(wú)效十大案件中，一起涉及3D NAND閃存結構制作工藝的專(zhuān)利復審案件引發(fā)了業(yè)界廣泛關(guān)注。

　　專(zhuān)利申請遭駁回

　　長(cháng)江存儲公司成立于2016年7月，是一家專(zhuān)注于3D NAND閃存設計制造一體化的IDM集成電路企業(yè)，同時(shí)也提供完整的存儲器解決方案，其供應的3D NAND閃存晶圓及顆粒、嵌入式存儲芯片以及消費級、企業(yè)級固態(tài)硬盤(pán)等產(chǎn)品和解決方案，廣泛應用于移動(dòng)通信、消費數碼、計算機、服務(wù)器及數據中心等領(lǐng)域。

　　2017年8月，長(cháng)江存儲公司向國家知識產(chǎn)權局提交了一件名為“一種改善接觸孔插塞氧化物凹陷的工藝方法”的發(fā)明專(zhuān)利申請（專(zhuān)利申請號：CN201710733227.0）。針對該申請，國家知識產(chǎn)權局實(shí)質(zhì)審查部門(mén)（下稱(chēng)實(shí)質(zhì)審查部門(mén)）于2019年2月作出駁回決定，認為在權利要求1與對比文件1具有的多個(gè)區別技術(shù)特征之中，部分區別技術(shù)特征是本領(lǐng)域的公知常識，其余區別技術(shù)特征是在對比文件2給出的技術(shù)啟示下結合本領(lǐng)域的常用技術(shù)手段容易想到的。因此，權利要求1相對于對比文件1、對比文件2以及公知常識的結合不具備創(chuàng )造性。據介紹，對比文件1公開(kāi)了一種半導體器件的制作方法，對比文件2公開(kāi)了一種淺溝槽隔離結構的制造方法。

　　長(cháng)江存儲公司對上述駁回決定不服，于2019年4月向國家知識產(chǎn)權局提出了復審請求。

　　認定具備創(chuàng )造性

　　國家知識產(chǎn)權局成立合議組對該案進(jìn)行審理。合議組認為，相對于駁回決定中引用的對比文件1、對比文件2以及本領(lǐng)域的公知常識，涉案專(zhuān)利申請的權利要求1具有突出的實(shí)質(zhì)性特點(diǎn)和顯著(zhù)的進(jìn)步，因而具有創(chuàng )造性，符合專(zhuān)利法第二十二條第三款的規定。

　　該案合議組在接受本報記者采訪(fǎng)時(shí)表示：“該案審理的焦點(diǎn)在于，孤立地來(lái)看涉案專(zhuān)利申請與對比文件1的區別，可能屬于半導體領(lǐng)域的常用工藝手段，但對比文件1的發(fā)明目的與涉案專(zhuān)利申請不同，本領(lǐng)域技術(shù)人員是否具有改進(jìn)動(dòng)機成為涉案專(zhuān)利創(chuàng )造性判斷的關(guān)鍵，具體到本案，對比文件1不具有改進(jìn)的動(dòng)機。對比文件2雖然公開(kāi)了與上述區別類(lèi)似的工藝手段，但該工藝手段在對比文件2中起到的作用與其在本申請中的作用不同，對比文件2沒(méi)有給出相應的技術(shù)啟示。因此，本領(lǐng)域技術(shù)人員在對比文件1、對比文件2公開(kāi)內容的基礎上，不能顯而易見(jiàn)地得到本申請權利要求所請求保護的技術(shù)方案。”

　　綜上，國家知識產(chǎn)權局于2019年8月作出第185132號審查決定，宣告撤銷(xiāo)駁回決定，要求實(shí)質(zhì)審查部門(mén)以該復審請求審查決定所針對的文本為基礎繼續進(jìn)行審查。2019年9月30日，實(shí)質(zhì)審查部門(mén)向長(cháng)江存儲公司發(fā)出授予發(fā)明專(zhuān)利權的通知書(shū)。

　　具有啟示意義

　　該案的審理決定一經(jīng)作出，就引發(fā)了社會(huì )的廣泛關(guān)注。業(yè)內人士表示，該案對半導體行業(yè)專(zhuān)利布局具有啟示意義，同時(shí)給出了在涉及半導體制造工藝類(lèi)申請的創(chuàng )造性審查過(guò)程中，應當基于最接近的現有技術(shù)來(lái)判斷是否能夠產(chǎn)生改進(jìn)動(dòng)機，對于其他現有技術(shù)是否給出了技術(shù)啟示的考量，如果區別特征在該其他現有技術(shù)中所起的作用與區別特征在發(fā)明解決技術(shù)問(wèn)題的過(guò)程中所起的作用完全不同，則該其他現有技術(shù)難以給出將區別特征應用到最接近的現有技術(shù)以解決其存在的技術(shù)問(wèn)題的啟示。

　　此外，該案對國內半導體芯片企業(yè)突破國外巨頭專(zhuān)利壁壘也有指導意義。記者在采訪(fǎng)中了解到，如今半導體芯片市場(chǎng)中，一家企業(yè)很難擁有某一產(chǎn)品的全部技術(shù)，通常是多個(gè)具有競爭關(guān)系的企業(yè)形成相互纏繞的局面，這些企業(yè)通過(guò)掌握的專(zhuān)利技術(shù)相互制約和搶占市場(chǎng)份額。如今的半導體芯片市場(chǎng)中，核心專(zhuān)利大多已掌握在少數發(fā)達國家的企業(yè)手上，例如3D NAND存儲技術(shù)主要掌握在美光、三星和SK海力士等跨國芯片制造廠(chǎng)商手中。這些跨國企業(yè)通常會(huì )以基礎專(zhuān)利為核心，對相關(guān)的**技術(shù)布局專(zhuān)利，形成專(zhuān)利壁壘。而如何突破國外企業(yè)的專(zhuān)利壁壘，是目前國內芯片制造企業(yè)與這些跨國巨頭進(jìn)行競爭的焦點(diǎn)之一，這就要求國內芯片制造企業(yè)具有更強更有效的專(zhuān)利布局戰略。

　　“面對跨國巨頭們的專(zhuān)利壁壘，‘農村包圍城市’式的專(zhuān)利布局戰略也許會(huì )發(fā)揮獨特的作用。”上海光華專(zhuān)利事務(wù)所（普通合伙）專(zhuān)利代理師羅泳文在接受本報記者采訪(fǎng)時(shí)表示，針對跨國巨頭所掌握的基礎專(zhuān)利，企業(yè)在進(jìn)行技術(shù)研發(fā)時(shí)可對其進(jìn)行改進(jìn)。

　　“長(cháng)江存儲公司提交的上述發(fā)明專(zhuān)利申請就屬于改進(jìn)型專(zhuān)利。”羅泳文介紹，提交改進(jìn)型專(zhuān)利申請不會(huì )涉及侵權風(fēng)險，只有生產(chǎn)制造和銷(xiāo)售時(shí)，才會(huì )產(chǎn)生侵權行為。這種改進(jìn)型專(zhuān)利一方面可以提高產(chǎn)品制造的效率及性能，提高產(chǎn)品的市場(chǎng)競爭力；另一方面，被授權也證明該技術(shù)屬于領(lǐng)域中的一個(gè)技術(shù)空白點(diǎn)，企業(yè)可以尋找更多的技術(shù)空白點(diǎn)，并在這些空白技術(shù)點(diǎn)上布局一定數量的專(zhuān)利，形成專(zhuān)利圈，對基礎專(zhuān)利進(jìn)行包圍，減弱基礎專(zhuān)利的威脅甚至使其失去作用。如此一來(lái)，一方面可以促使對方進(jìn)行交叉許可，企業(yè)可獲得其基礎專(zhuān)利的使用權；另一方面，通過(guò)不斷創(chuàng )新，完成專(zhuān)利戰略布局，還能逐步建立自身的專(zhuān)利技術(shù)體系。

　　案件亮點(diǎn)

　　該案的復審決定表明，在涉及半導體制造工藝類(lèi)申請的創(chuàng )造性評判中，需要重點(diǎn)考慮涉及爭議焦點(diǎn)的工藝細節在整體制造工藝中實(shí)際解決的技術(shù)問(wèn)題和達到的技術(shù)效果，同時(shí)還需考慮以下方面的因素：現有技術(shù)存在的缺陷是否是本領(lǐng)域的普遍認知，現有技術(shù)中存在的類(lèi)似手段是否是為解決這一缺陷而提出的等等。

　　首先，涉案專(zhuān)利申請涉及半導體芯片制造工藝，其工藝路線(xiàn)及手段發(fā)展相對成熟，其中如何發(fā)現導致產(chǎn)品性能不佳的工藝細節，是半導體芯片制造業(yè)中對于制造工藝改進(jìn)的重點(diǎn)和難點(diǎn)。在現有技術(shù)中即使發(fā)現了產(chǎn)品存在性能不佳的情況，但未必能意識到導致性能下降的工藝細節存在的缺陷，例如對比文件1中由于沒(méi)有限定具體的沉積工藝，該工藝細節也不屬于本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠意識到的普遍存在的常識性的技術(shù)問(wèn)題，因而對比文件1不存在改進(jìn)相應技術(shù)問(wèn)題的需求。

　　其次，在考慮其他現有技術(shù)是否給出了結合啟示的判斷中，不僅要考慮區別特征所涉及的技術(shù)手段本身是否已被現有技術(shù)公開(kāi)，還要考慮該技術(shù)手段在該現有技術(shù)的整體技術(shù)方案中所起到的作用、解決的技術(shù)問(wèn)題和獲得的技術(shù)效果與其在涉案申請中所起到的作用、解決的技術(shù)問(wèn)題和獲得的技術(shù)效果是否相同，從而綜合判斷是否給出了技術(shù)啟示。例如，對比文件2雖然公開(kāi)了與涉案專(zhuān)利申請相同的技術(shù)手段，但其在對比文件2中所起的作用與其在涉案申請中所起的作用不同，所解決的技術(shù)問(wèn)題和獲得的技術(shù)效果也不同，因此對比文件2沒(méi)有給出解決涉案專(zhuān)利申請相關(guān)技術(shù)問(wèn)題的技術(shù)啟示。

　　最后，半導體芯片制造行業(yè)在我國國民經(jīng)濟發(fā)展中具有舉足輕重的重要地位。近年來(lái)，半導體芯片制造領(lǐng)域創(chuàng )新活躍，技術(shù)發(fā)展迅速，相關(guān)專(zhuān)利申請多涉及制造工藝細節，其對產(chǎn)品的性能、成本、成品率等有重要影響。從創(chuàng )新角度講，涉及半導體制造技術(shù)的相關(guān)專(zhuān)利能夠獲得保護，可以鼓勵半導體芯片制造業(yè)的技術(shù)人員更多地發(fā)掘已相對成熟的制造工藝中的技術(shù)缺陷并加以改進(jìn)，對我國半導體產(chǎn)業(yè)創(chuàng )新發(fā)展具有重要意義。

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