●隨著平面型閃存存儲器的發(fā)展，半導體的生產(chǎn)工藝獲得了巨大的進步。但是近年來，平面型閃存存儲器遭遇了如何突破存儲電子密度極限等挑戰(zhàn)。在此背景下，為解決平面閃存存儲器遇到的困難以及追求更低的單位存儲單元的生產(chǎn)成本，各種不同的三維閃存存儲器結(jié)構(gòu)應運而生。其中，3D NAND因其小體積、大容量，并且通過增加立體硅層的辦法，既可以提高單位面積存儲密度，又能改善存儲單元性能等優(yōu)點，己經(jīng)成為新興存儲器設計和生產(chǎn)的主流工藝。為此，不少企業(yè)就該工藝提交專利申請，開展專利布局。

　　●在2019年專利復審無效十大案件中，一起涉及3D NAND閃存結(jié)構(gòu)制作工藝的專利復審案件引發(fā)了業(yè)界廣泛關注。

　　專利申請遭駁回

　　長江存儲公司成立于2016年7月，是一家專注于3D NAND閃存設計制造一體化的IDM集成電路企業(yè)，同時也提供完整的存儲器解決方案，其供應的3D NAND閃存晶圓及顆粒、嵌入式存儲芯片以及消費級、企業(yè)級固態(tài)硬盤等產(chǎn)品和解決方案，廣泛應用于移動通信、消費數(shù)碼、計算機、服務器及數(shù)據(jù)中心等領域。

　　2017年8月，長江存儲公司向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交了一件名為“一種改善接觸孔插塞氧化物凹陷的工藝方法”的發(fā)明專利申請（專利申請?zhí)枺篊N201710733227.0）。針對該申請，國家知識產(chǎn)權(quán)局實質(zhì)審查部門（下稱實質(zhì)審查部門）于2019年2月作出駁回決定，認為在權(quán)利要求1與對比文件1具有的多個區(qū)別技術特征之中，部分區(qū)別技術特征是本領域的公知常識，其余區(qū)別技術特征是在對比文件2給出的技術啟示下結(jié)合本領域的常用技術手段容易想到的。因此，權(quán)利要求1相對于對比文件1、對比文件2以及公知常識的結(jié)合不具備創(chuàng)造性。據(jù)介紹，對比文件1公開了一種半導體器件的制作方法，對比文件2公開了一種淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的制造方法。

　　長江存儲公司對上述駁回決定不服，于2019年4月向國家知識產(chǎn)權(quán)局提出了復審請求。

　　認定具備創(chuàng)造性

　　國家知識產(chǎn)權(quán)局成立合議組對該案進行審理。合議組認為，相對于駁回決定中引用的對比文件1、對比文件2以及本領域的公知常識，涉案專利申請的權(quán)利要求1具有突出的實質(zhì)性特點和顯著的進步，因而具有創(chuàng)造性，符合專利法第二十二條第三款的規(guī)定。

　　該案合議組在接受本報記者采訪時表示：“該案審理的焦點在于，孤立地來看涉案專利申請與對比文件1的區(qū)別，可能屬于半導體領域的常用工藝手段，但對比文件1的發(fā)明目的與涉案專利申請不同，本領域技術人員是否具有改進動機成為涉案專利創(chuàng)造性判斷的關鍵，具體到本案，對比文件1不具有改進的動機。對比文件2雖然公開了與上述區(qū)別類似的工藝手段，但該工藝手段在對比文件2中起到的作用與其在本申請中的作用不同，對比文件2沒有給出相應的技術啟示。因此，本領域技術人員在對比文件1、對比文件2公開內(nèi)容的基礎上，不能顯而易見地得到本申請權(quán)利要求所請求保護的技術方案。”

　　綜上，國家知識產(chǎn)權(quán)局于2019年8月作出第185132號審查決定，宣告撤銷駁回決定，要求實質(zhì)審查部門以該復審請求審查決定所針對的文本為基礎繼續(xù)進行審查。2019年9月30日，實質(zhì)審查部門向長江存儲公司發(fā)出授予發(fā)明專利權(quán)的通知書。

　　具有啟示意義

　　該案的審理決定一經(jīng)作出，就引發(fā)了社會的廣泛關注。業(yè)內(nèi)人士表示，該案對半導體行業(yè)專利布局具有啟示意義，同時給出了在涉及半導體制造工藝類申請的創(chuàng)造性審查過程中，應當基于最接近的現(xiàn)有技術來判斷是否能夠產(chǎn)生改進動機，對于其他現(xiàn)有技術是否給出了技術啟示的考量，如果區(qū)別特征在該其他現(xiàn)有技術中所起的作用與區(qū)別特征在發(fā)明解決技術問題的過程中所起的作用完全不同，則該其他現(xiàn)有技術難以給出將區(qū)別特征應用到最接近的現(xiàn)有技術以解決其存在的技術問題的啟示。

　　此外，該案對國內(nèi)半導體芯片企業(yè)突破國外巨頭專利壁壘也有指導意義。記者在采訪中了解到，如今半導體芯片市場中，一家企業(yè)很難擁有某一產(chǎn)品的全部技術，通常是多個具有競爭關系的企業(yè)形成相互纏繞的局面，這些企業(yè)通過掌握的專利技術相互制約和搶占市場份額。如今的半導體芯片市場中，核心專利大多已掌握在少數(shù)發(fā)達國家的企業(yè)手上，例如3D NAND存儲技術主要掌握在美光、三星和SK海力士等跨國芯片制造廠商手中。這些跨國企業(yè)通常會以基礎專利為核心，對相關的**技術布局專利，形成專利壁壘。而如何突破國外企業(yè)的專利壁壘，是目前國內(nèi)芯片制造企業(yè)與這些跨國巨頭進行競爭的焦點之一，這就要求國內(nèi)芯片制造企業(yè)具有更強更有效的專利布局戰(zhàn)略。

　　“面對跨國巨頭們的專利壁壘，‘農(nóng)村包圍城市’式的專利布局戰(zhàn)略也許會發(fā)揮獨特的作用。”上海光華專利事務所（普通合伙）專利代理師羅泳文在接受本報記者采訪時表示，針對跨國巨頭所掌握的基礎專利，企業(yè)在進行技術研發(fā)時可對其進行改進。

　　“長江存儲公司提交的上述發(fā)明專利申請就屬于改進型專利。”羅泳文介紹，提交改進型專利申請不會涉及侵權(quán)風險，只有生產(chǎn)制造和銷售時，才會產(chǎn)生侵權(quán)行為。這種改進型專利一方面可以提高產(chǎn)品制造的效率及性能，提高產(chǎn)品的市場競爭力；另一方面，被授權(quán)也證明該技術屬于領域中的一個技術空白點，企業(yè)可以尋找更多的技術空白點，并在這些空白技術點上布局一定數(shù)量的專利，形成專利圈，對基礎專利進行包圍，減弱基礎專利的威脅甚至使其失去作用。如此一來，一方面可以促使對方進行交叉許可，企業(yè)可獲得其基礎專利的使用權(quán)；另一方面，通過不斷創(chuàng)新，完成專利戰(zhàn)略布局，還能逐步建立自身的專利技術體系。

　　案件亮點

　　該案的復審決定表明，在涉及半導體制造工藝類申請的創(chuàng)造性評判中，需要重點考慮涉及爭議焦點的工藝細節(jié)在整體制造工藝中實際解決的技術問題和達到的技術效果，同時還需考慮以下方面的因素：現(xiàn)有技術存在的缺陷是否是本領域的普遍認知，現(xiàn)有技術中存在的類似手段是否是為解決這一缺陷而提出的等等。

　　首先，涉案專利申請涉及半導體芯片制造工藝，其工藝路線及手段發(fā)展相對成熟，其中如何發(fā)現(xiàn)導致產(chǎn)品性能不佳的工藝細節(jié)，是半導體芯片制造業(yè)中對于制造工藝改進的重點和難點。在現(xiàn)有技術中即使發(fā)現(xiàn)了產(chǎn)品存在性能不佳的情況，但未必能意識到導致性能下降的工藝細節(jié)存在的缺陷，例如對比文件1中由于沒有限定具體的沉積工藝，該工藝細節(jié)也不屬于本領域技術人員能夠意識到的普遍存在的常識性的技術問題，因而對比文件1不存在改進相應技術問題的需求。

　　其次，在考慮其他現(xiàn)有技術是否給出了結(jié)合啟示的判斷中，不僅要考慮區(qū)別特征所涉及的技術手段本身是否已被現(xiàn)有技術公開，還要考慮該技術手段在該現(xiàn)有技術的整體技術方案中所起到的作用、解決的技術問題和獲得的技術效果與其在涉案申請中所起到的作用、解決的技術問題和獲得的技術效果是否相同，從而綜合判斷是否給出了技術啟示。例如，對比文件2雖然公開了與涉案專利申請相同的技術手段，但其在對比文件2中所起的作用與其在涉案申請中所起的作用不同，所解決的技術問題和獲得的技術效果也不同，因此對比文件2沒有給出解決涉案專利申請相關技術問題的技術啟示。

　　最后，半導體芯片制造行業(yè)在我國國民經(jīng)濟發(fā)展中具有舉足輕重的重要地位。近年來，半導體芯片制造領域創(chuàng)新活躍，技術發(fā)展迅速，相關專利申請多涉及制造工藝細節(jié)，其對產(chǎn)品的性能、成本、成品率等有重要影響。從創(chuàng)新角度講，涉及半導體制造技術的相關專利能夠獲得保護，可以鼓勵半導體芯片制造業(yè)的技術人員更多地發(fā)掘已相對成熟的制造工藝中的技術缺陷并加以改進，對我國半導體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展具有重要意義。

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